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    等離子增強化學氣相沉積系統

    簡要描述:等離子增強化學氣相沉積系統
    配有Plasma實現等離子增強,滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環境下,得到快速的降溫速率。選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也適用于要求快速升降溫的CV

    • 產品型號:TF1200-PECVD型
    • 廠商性質:經銷商
    • 更新時間:2018-11-06
    • 訪  問  量:2394
    詳細介紹
    產地類別國產

    TF1200-PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統

    PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor

    Deposition)  等離子體增強化學氣相沉積法

    等離子增強化學氣相沉積系統

    設備介紹: 

    本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。

    產品簡介

    此款設備配有Plasma實現等離子增強,滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力,帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

    主要組成系統及特點:

     

    本設備主要由管式加熱爐體,真空系統,質子流量供氣系統,射頻等離子源,石英反應腔室等部件組成。

    要特點:

        1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。

        2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。

        3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。

        4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、*性和穩定性高。

        5、廣泛應用于:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

     

     

    開啟式真空管式爐技術參數

     

     

     

     

    石英管尺寸

    L1400mm  *(根據需求選擇不同直徑的石英管作為反應室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等規格可選。)

    加熱元件

    摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲

    測溫元件

    K型熱電偶

    加熱區長度

    400mm  

    恒溫區長度

    200mm

    工作溫度

    ≤1100℃

    控溫模式

    模糊PID控制和自整定調節,智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能

    控溫精度

    ±1℃

    升溫速率

    ≤20℃/min

    電功率

    AC220V/50HZ/3KW

    質量供氣系統技術參數(根據需求選擇多路質子流量供氣系統。有兩路GQ-2Z,三路GQ-2Z,四路GQ-2Z,五路GQ-2Z或更多路供選擇。)

     

     

     

     

     

    外形尺寸

    600x600x600mm

    標準量程

    50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2;

    數顯壓力表測量范圍

    -0.1Mpa~0.15Mpa

    極限壓力

    3MPa

    針閥

    316不銹鋼

    截止閥

    Φ6mm 316不銹鋼針閥

    電功率

    AC220V/50HZ/20W

    響應時間

    氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

    準確度

    ±1.5%

    線性

    ±0.5~1.5%

    重復精度

    ±0.2%

    接口

    Φ6,1/4''

    真空系統技術參數(根據需求選擇不同真空效果的真空系統。有DZK10-1(極限真空0.1Pa),GZK10-3(極限真空0.001Pa),以及進口高真空機組(極限真空0.0001Pa)供選擇。)

     

     

     

     

     

    外型尺寸

    600×600×600mm

    工作電電壓

    220V±10%  50~60HZ

    功率

    400W

    抽氣速率

    4Ls

    極限真空

    4X10-2Pa

    實驗真空度

    1.0X10-1Pa

    容油量

    1.1L

    進氣口口徑

    KF25

    排氣口口徑

    KF25

    轉速

    1450rpm

    射頻電源(根據需求選擇強度不同的射頻電源。有DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功率的射頻電源供選擇)

     

    信號頻率

    13.56 MHz±0.005%

    功率輸出范圍

    5-300W   5W-500W可選

    最大反射功率

    200W

    射頻輸出接口

    50 Ω, N-type, female

    功率穩定度

    ±0.1%

    諧波分量

    ≤-50dbc

    供電電壓

    單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ

    整機效率

    >=70%

    功率因素

    >=90%

    冷卻方式

    強制風冷

     

    艾科迅部分客戶(CVD及PECVD及管式爐系列)

    等離子增強化學氣相沉積系統

    常見PECVD系統組合

       1. 1200度60滑軌式微型管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,300W射頻電源

        TF1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300

       2. 1200度60滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源

        TF1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

       3. 1200度60雙溫區滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源

        TF1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

       4. 1200度60三溫區滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源

        TF1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

       5. 1200度60微型預熱爐,1200度60滑軌式管式爐,低真空系統,四路質子流量供氣系統,500W射頻電源

        TF1200-60S,MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

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